英特尔AI芯片Gaudi 3推动算力芯片产业链发展；三星HBM4与先进封装技术取得进展；存储芯片受地震影响涨价

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英特尔AI芯片Gaudi 3发布，算力提升显著；三星电子推动HBM4技术发展；半导体市场波动影响投资建议

英特尔近日推出了新一代AI芯片Gaudi 3，预计将在第三季度投入市场。与英伟达H100芯片相比，Gaudi 3在推理能力和能效方面表现出显著优势。这一发展预示着算力芯片产业将迎来更快的发展。同时，英伟达算力卡迭代加速，相关产业链有望持续受益。

三星电子成功验证了采用16层混合键合的HBM内存技术，预计将在HBM4内存量产中应用。这一突破将推动尖端内存芯片生产的发展，为相关产业链带来新的增长机遇。

在先进封装领域，三星电子和SK海力士开始布局VFO技术，有助于提高IO数据引脚数量，缩短电信号传输路径。随着算力时代的到来，先进封装的重要性日益凸显，相关产业链有望持续受益。

受台湾地震影响，部分DRAM价格出现上涨。现货市场对地震后续影响保持关注，预计存储芯片价格将继续上涨，产业链将受益。

在市场行情方面，本周A股申万电子指数下跌4.33%，整体表现弱于沪深300指数。海外市场指数整体维持弱势，台湾电子、恒生科技等市场指数出现不同程度的波动。

投资者应继续关注以AI为核心的算力芯片产业链、半导体周期复苏主线、HBM产业链等方面的投资机会。英伟达业绩亮眼，算力需求攀升，有望带动上游算力芯片需求增长。同时，受益于供应端推动涨价、库存回归正常等因素，存储芯片产业链有望探底回升。

然而，投资市场仍面临一定的风险，包括中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。投资者需密切关注市场动态，审慎做出投资决策。